1MBI600PX-120富士IGBT模块_CM50YE13

1MBI600PX-120富士IGBT模块_CM50YE13-12H三菱IGBT模块_飞鸿恒信科技
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 　　富士电机是日本一家*的半导体器件及机电产品生产企业，也是全球**半导体器件厂商之一，其拥有*现代化及**的半导体生产技术及工艺。不断研发与*，引领电力电子半导体*新技术是富士电机屹立世界半导体行业的根本。
    IGBT模块 X系列的优点
减少电力损耗，利于节能
本公司第7代“X系列”通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度，使其小型化，从而优化元件结构。因此，与以往产品相比（本公司第6代“V系列”），降低变换器运行时的电力损耗。有利于运载机器节能和削减电力成本。

实现机器的小型化
运用新开发的绝缘板，提高模块的散热性能。通过与上述（降低电力损耗）配合控制散热，与以往制品相比，约减小36%，实现了小型化※ 1。另外，通过将连续运行时芯片的*大保证温度从150℃升到175℃，可以在保持运载机器尺寸的同时，将输出电流*多增加35%※ 2。因此有助于机器的小型化和降低总成本。

※ 1：1200V 75A PIM 产品的安装面积比
※ 2：本公司验算值
有助于提高机器的可靠性
修正模块的构造和所使用的部件，提高了高温运行时的稳定性和持久性。有助于提高运载机器的可靠性。
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电动机可变速驱动装置和电子计算机的备用电源装置等电力变换器，随着双极型功率晶体管模块和功率MOSFET的出现，已经起了很大的变化。这些使用交换元件的各种电力变换器也随着近年来节能、设备小型化轻量化等要求的提高而急速地发展起来。但是，电力变换器方面的需求，并没有通过双极型功率晶体管模块和功率MOSFET得到完全的满足。双极型功率晶体管模块虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是却有交换速度不够快的缺陷。而功率
MOSFET虽然交换速度足够快了，但是存在着不能得到高耐压、大容量元件等的缺陷。
 IGBT（JEDEC登录名称，绝缘栅双极晶体管）正是作为顺应这种要求而开发的，它作为一种既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极型晶体管的高电压、大电流处理能力的新型元件，今后将有更大的发展潜。
1.1  电压控制型元件IGBT的理想等效电路，正如图 1-2所示，是对pnp双极型晶体管和功率
MOSFET进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。
因此，在门极—发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时，pnp晶体管的基极—集电极间就连接上了低电阻，从而使pnp晶体管处于导通状态。
此后，使门极—发射极之间的电压为0V时，首先功率MOSFET处于断路状态，pnp
晶体管的基极电流被切断，从而处于断路状态。
如上所述，IGBT和功率MOSFET一样，通过电压信号可以控制开通和关断动作。

 富士电机电子设备技术的IGBT技术从1988年开始产品化，至今一直在市场上供应。图
 1-3中表现了从*代到第五代IGBT产品的开发过程以及运用技术。*代至第三代的
IGBT中运用了外延片，通过优化生命期控制和IGBT的细微化技术，进行了特性的改善。然后，第四代和第五代产品通过从外延片过渡为FZ（Floating Zone）晶片，实现了大幅度的特性改善。就此，IGBT的设计方针与从前相比，发生了很大的转变。
首先，运用外延片的IGBT（第三～第四代的600V型为止的系列产品，被称为“击穿型”
）的基本设计思想如下所述。IGBT在导通时为了实现低通态电压化，从集电极侧注入大量的载流子，使IGBT内部充满高浓度的载流子，再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层，形成很薄的n-层，从而实现低通态电压。为了实现快速交换，也同时采用以IGBT内充满的载流子快速消失为目的的生命期控制技术（通过这些也能实现低交换损耗（Eoff））。但是，一旦运用了生命期控制技术，即使处于通常的导通状态，由于该技术所产生的效果（载流子的输送效率下降），出现了通态电压增加的问题，而通过载流子的更进一步高注入化可以解决这个问题。总之，使用外延片技术的IGBT的基本设计理念可以用“高注入、低输送效率
”简单扼要地概括出来。相对而言，使用FZ晶片的IGBT（第四代1200V以后的系列）采用了抑制来自集电极侧载流子的注入，并通过降低注入效率来提高输送效率的逆向基本设计。在前面所述的使用外延片的IGBT的设计理念产。

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