我们都知道led由led灯珠组成,两个led灯珠的中心点之间的距离称为点间距。显示器行业一般采用根据该距离的大小来定义产品规格的方法,例如我们常用的P12,P10,P8(点间距分别为12mm,10mm和8mm)等,随着工艺的进行,点间距越来越小!根据业界的共识,点间距小于3毫米的显示屏为小间距.在目前批量生产的显示屏中,小点间距为P6,即两个灯珠的中心点之间的距离仅为6mm。无缝拼接拼接大屏显示技术在更大限度满足客户需求时始终无法避免物理边框的影响,即使超窄边DID专业液晶屏,依然有十分明显的拼接缝,只有led显示屏使拼接后的拼缝达到无缝要求,高密度小间距led无缝拼接优势得以凸显。
但是,芯片尺寸的缩小是否能无限的进行下去呢?是否定的!有如下几个原因制约着芯片尺寸缩小的程度:封装加工的限制!封装加工过程中,两个因素限制了芯片尺寸的缩小!一是吸嘴的限制。固晶需要吸取芯片,芯片短边尺寸必须大于吸嘴内径!目前有性价比的吸嘴内径为80um左右。二是焊线的限制!首先是焊线盘即芯片电极必须足够大,否则焊线可靠性不能保证,业内报道小电极直径45um。;其次是电极之间的间距必须足够大,否则两次焊线间必然会相互干扰!
第三是可靠性问题!现行行业标准是LED死灯率允许值为万分之一,显然不适用于小间距LED显示屏!由于小间距屏的像素密度大,观看距离近,如果一万个就有1个死灯,其效果令人无法接受.未来死灯率需要控制在十万分之一甚至是百万分之一才能满足长期使用的需求!总的来说,小间距LED的发展,对芯片段提出的需求是:尺寸缩小,相对亮度提升,小电流下亮度一致性好,寄生电容一致性好,可靠性高!尺寸缩小芯片尺寸缩小,表面上看,就是版图设计的问题,似乎只要根据需要设计更小的版图就能解决!
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芯片加工的限制!芯片加工过程中,也有两方面的限制!其一是版图布局的限制。除了上述封装端的限制,电小,电极间距有要求外,电极与MESA距离、划道宽度、不同层的边界线间距等都有其限制,芯片的电流特性、SD工艺能力、光刻的加工能力决定了具体限制的范围!通常,P电极到芯片边缘的小距离会限定在14μm以上。其二是划裂加工能力的限制.SD划片+机械裂片工艺都有极限,芯片尺寸过小可能无法裂片。当晶圆片直径从2英寸增加到4英寸、或未来增加到6英寸时,划片裂片的难度是随之增加的,也就是说,可加工的芯片尺寸将随之增大。
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首先是对于灰度的要求!与户外屏不同,户内屏的需求的难点不在于亮度而在于灰度.目前户内大间距屏的亮度需求是1500cd/m2-2000cd/m2左右,小间距LED显示屏的亮度一般在600cd/m2-800cd/m2左右,而适宜于长期注目的显示屏亮度在100cd/m2-300cd/m2左右!目前小间距LED屏幕的难题之一是“低亮低灰”.即在低亮度下的灰度不够.要实现“低亮高辉”,目前封装端采用的方案是黑支架.
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