- 产品名称:正规功率放大器芯片/双向PA功放、增益模块推荐_正规放大器哪家便宜-苏州英诺迅科技股份有限公司
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- 更新日期:2021-09-11
我司目前主要产品有:射频及微波功率放大器芯片(RFAmplifier)、增益模块(GainBlock)、射频开关芯片(RFSwitch)、低噪声放大器芯片(LNA)、微波宽带小信号放大器芯片、射频微波及毫米波压控振荡器(VCO)等,主要应用于3G/4G/5G移动通讯、北斗卫星导航、宽带数字传输、WiFi无线覆盖、无线图传、自组网、AI自动驾驶毫米波传感器等射频微波通信及传感系统。GainBlocks-GaAsHBTActiveBias:YG602020、YG802020W、YG401820-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-FlatgainoverfrequencybandwidthBroadbandPowerAmplifier:YP3236W、YP2233W、YP3035W、YP24343YP552228-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-FlatgainoverfrequencybandwidthSATCOMPowerAmplifier:YP16313YP16303YPM16243YPM163840、YP5135T-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-HighPowerHighGain-ExcellentThermalStabilityandExcellentRuggednessCellular/WiFiPowerAmplifier:YP2233W、YP3035W、YP24343YP24203YP60252YP352830、YP352833-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-HighPowerHighLinearity-ExcellentThermalStabilityandExcellentRuggednessMCM(MultichipsModule)PowerAmplifier:YPM0205443YPM04074540、YPM16243YPM163840-InternalMatching50Ω,EasyforUse-HighPowerHighGainLNA(GaAsPHEMT):YL001810TMixer(Double-BalancedGaAsSchottkyDiodes):YX18Switch(SPDT):YS36YG602020该宽带射频增益放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程,内部集成有源偏置电路,输入输出匹配至50欧姆,易于系统集成应用!
苏州英诺迅科技股份有限公司是一家专注放大器的企业,在功率放大器芯片/PA功放、增益模块领域深耕十几年,对于功率放大器芯片/双向PA功放、增益模块,有着敏锐的市场嗅觉,丰富的优化经验,扎实的技术团队。秉承互利互惠,合作双赢的理念,坚持客户至上,信誉的原则。致力于从多渠道,多方位,多平台为客户提供的功率放大器芯片/PA功放、增益模块服务,并受到了客户的一致好评。
芯片采用符合工业标准的SOT-89封装,内部集成ESD保护单元,具有较高的可靠性!YG802020W该宽带射频增益放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程,采用级联电路架构,内部集成有源偏置电路,提高电路线性度,实现温度补偿!芯片采用符合工业标准的DFN封装,内部ESD和VSWR保护单元,具有高可靠性.YG401820该宽带射频增益放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程,内部集成有源偏置电路,输入输出匹配至50欧姆,易于系统集成应用.
芯片采用符合工业标准的DFN封装,内部集成ESD保护单元,具有较高的可靠性!YP352833/YP3236W/YP2233W/YP242034/YP352830该射频功率放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程,具有较高的增益及线性度;芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性.芯片采用QFN封装,尺寸为4mmX4mm,易于系统集成及小型化.VP552228该宽带射频功率放大器芯片,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程,具有较高的输出功率和效率;芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性.
芯片采用QFN封装,尺寸为4mmX4mm,易于系统集成及小型化!YP163137该射频功放芯片专为北斗导航及通信应用开发,采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程,具有较高的输出功率和效率;芯片内部集成了ESD保护单元,具有较高的可靠性。芯片采用QFN封装,尺寸仅为4mmX4mm,为终端客户节省了布板空间,便于系统小型化集成!YV257208超宽带VCO芯片YV257208,基于lnGaP/GaAsHBT工艺制程;芯片内部集成负阻振荡管、Buffer放大管、恒流源偏置、有源温补电路和滤波器.
正规功率放大器芯片/双向PA功放、增益模块推荐
我司主营放大器领域的企业,主要以功率放大器芯片/双向PA功放、增益模块为主要产品,公司位于江苏省苏州工业园区,更多产品信息详情请上http://www.innotion.com.cn查看。苏州英诺迅科技股份有限公司愿与社会各界朋友共同合作、共创双赢、共创精彩明天!
工作电压vcc范围自8V至2V,且在不同的电源电压下,均有输出功率稳定、隔离度高的特点,井具备良好的相位噪声和谐波抑制!芯片采用符合工业标准的DFN封装形式,封装尺寸2mmx2mm.芯片主要性能指标举例YG602020主要性能指标:-工作频段:50~4000MHz-工作电压:3~0V-增益:18dB@2GHz-输出功率:22dBm@0GHz-OIP3:32dBm@0GHz-单电源供电-封装形式:SOT-89-内部集成有源偏置电路-内部集成ESD保护单元应用领域:-WLAN/WiMAX/WiBro-GSM/CDMA/PCS-WCDMA/LTE-GPS/COMPASS-CMMB-RFID-CATV-ISMYG802020W主要性能指标:-工作频段:50~8000MHz-工作电压:0V-工作电流:10~93mA-PldB:21dBm@5GHz-增益:15dB@5GHz-OIP3:+35dBm@5GHz;+35dBm@2~8GHz(5G通讯n78频段);+34dBm@3~7GHz(5G通讯n78频段)-封装形式:DFN-2X2-6L应用领域:-5Gmobileapplication/m-MIMO-WLAN/WiMAX/WiBro-WCDMA/LTE-GPS/COMPASS-TDD/FDDSystem-GSM/CDMA/PCS-CATV-ISMYP3236W主要性能指标:-工作频段:300~1000MHz-工作电压:3~0V-功率增益:32dB-输出功率:36dBm@0V-OIP3:48dBm@915MHz-效率:46%@PldB-静态电流:380mA-输入回波损耗:-20dB-封装形式:QFN-16L4mmX4mm-内部集成ESD保护单元-工作温度:-40°C~85°C应用领域:-ISM-CDMA-GSM-RFID-CMMB-TETRA-IOTPA-SignalShieldingDeviceYP2233W主要性能指标:-工作频段:700-2700MHz-工作电压:3-0V-功率增益:26dB@6GHz-输出功率:3SdBm@6GHz,Vcc=5V-静态电流:280mA-输入回波损耗:-15dB-封装形式:QFN-16L4mmx4mm-内部集成ESD保护单元-工作温度:-40°~85°C应用领域:-北斗导航及通信(RDSS)-IEEE8011b/g/n无线局域网-PCS通信系统-4GHzISM无线设备-宽带扩频系统-Repeaters末级功放-IOTPAYP242034主要性能指标:-工作频段:1800~2800MHz-工作电压:3~0V-功率增益:20dB-输出功率:34dBm-EVM:0%@27dBm-静态电流:300mA-内部集成功率检测单元-内部集成ESD保护单元-封装形式:QFN-16L4mmx4mm-工作温度:-40°C~85°C应用领域:-4GHzWIFI-物联网-IEEE8011b/g/n/ac无线局域网-无线网卡、无线AP-Wibro3GHzto4GHz-WiMAX5GHzto7GHz-屏蔽器YP352830主要性能指标:-工作频段:1800-3800MHz-工作电压:3-0V-功率增益:29dB@5GHz-输出功率:30dBm@5GHz-EVM:5%@27dBm,4GHz-静态电流:120mA-内部集成功率检测单元-内部集成ESD保护单元-封装形式:QFN-16L4mmX4mm-工作温度:-40°C~85°C应用领域:-65GHz/5GHz5G移动通讯-4GHzWIFI-物联网-IEEE8011b/g/n/ac无线局域网-无线网卡、无线AP-LTE-Wibro3GHzto4GHz-WiMAX5GHzto7GHz-屏蔽器YP352833主要性能指标:-工作频段:3200~3800MHz-工作电压:3-0V-功率增益:28dB-输出功率:33dBm-ACLR:-37dBc@26dBm,5GHz-静态电流:560mA-内部集成功率检测单元-内部集成ESD保护单元-封装形式:QFN-16L4mmX4mm-工作温度:-40°C~85°C应用领域-5GHzmMIMO驱动级-通用驱动级-屏蔽器末级。
首先看看半导体生产制造的主要成本构成:机器折旧50%左右、材料20%左右、水电5%左右、人力10%左右。中国企业可以把握的成本空间仅仅15%。而这15%也确实早已被发挥到了极至。况且,由于技术能力的落后所抵消的成本优势却被忽略掉了。在降低成本方面做得更为极端的企业,如上海先进和无锡上华,通过采用旧设备而维持相对较低的设备折旧。