5dB供电电压（VCC）：5V调谐电压（VT）：0~9V工作电流：85mA二次谐波抑制：≤-25dBc三次谐波抑制：≤-25dBc极少外围元器件射频输出阻抗50Ω7mm×9mm×2mm通用封装尺寸YSGM333606标称调谐频段：3300-3600MHz平均输出功率：≥5dBm带内平坦度（BW≤200MHz）：±0。5dB供电电压（VCC）：5V调谐电压（VT）：0~9V工作电流：65mA二次谐波抑制：≤-25dBc三次谐波抑制：≤-25dBc极少外围元器件射频输出阻抗50Ω7mm×9mm×2mm通用封装尺寸YSGM455006标称调谐频段：4800-5000MHz平均输出功率：≥5dBm带内平坦度（BW≤200MHz）：±0！

　　5dB供电电压（VCC）：5V调谐电压（VT）：0~9V工作电流：85mA二次谐波抑制：≤-25dBc三次谐波抑制：≤-25dBc极少外围元器件射频输出阻抗50Ω7mm×9mm×2mm通用封装尺寸YSGM081008标称调谐频段：870-960MHz平均输出功率：≥7dBm带内平坦度（BW≤90MHz）：±0。5dB供电电压（VCC）：5V调谐电压（VT）：0~9V工作电流：85mA二次谐波抑制：≤-20dBc三次谐波抑制：≤-25dBc极少外围元器件射频输出阻抗50Ω7mm×9mm×2mm通用封装尺寸YSGM151708标称调谐频段：1560-1620MHz平均输出功率：≥5dBm带内平坦度（BW≤60MHz）：±0!

正规压控振荡器VCO销售电话

　　TheYV257208isaInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)MMICOscillatorwithnegativeresistancedevices,bufferamplifiers,filtersandactivebiasingnetworks。TheYV257208’sphasenoiseperformanceandharmonicsuppressionisduetothefiltersandmonolithicstructure！

　　5dB供电电压（VCC）：5V调谐电压（VT）：0~9V工作电流：85mA二次谐波抑制：≤-20dBc三次谐波抑制：≤-25dBc极少外围元器件射频输出阻抗50Ω7mm×9mm×2mm通用封装尺寸YSGM232508标称调谐频段：2300-2500MHz平均输出功率：≥7dBm带内平坦度（BW≤200MHz）：±0.5dB供电电压（VCC）：5V调谐电压（VT）：0~9V工作电流：85mA二次谐波抑制：≤-25dBc三次谐波抑制：≤-25dBc极少外围元器件射频输出阻抗50Ω7mm×9mm×2mm通用封装尺寸YSGM252708标称调谐频段：2500-2700MHz平均输出功率：≥7dBm带内平坦度（BW≤200MHz）：±0！

　　我司的YV257208基于InGaP/GaAsHBT工艺制程，芯片内部集成了负阻振荡器、Buffer放大器、恒流源偏置电路、有源温补电路、滤波器以及FSK调制器；工作电压VCC范围自8V至2V，且在不同的电源电压下均有输出功率稳定、隔离度高的特点，并具备良好的相位噪声和谐波抑制。该芯片采用了符合工业标准的DFN2X2-6L封装.我司VCO的YSGM系列是一款高集成度、标准封装尺寸的VCO，采用高截止频率的射频晶体管作为振荡管，输出功率高、隔离度好!