有人说这是激光切割技术，作者研究后发现应该不是激光切割，而是类似离子注入法和做SOI硅片的技术比较接近的剥离技术！碳化硅透光率很高，激光切并不合适，而且激光切割设备相当昂贵，当然离子注入法剥离也不简单，现阶段现实的还是线切.切割良率就真正考验各家水准了，同样3cm晶锭厚度，终得片率是30片还是33片还是35片？每多一片都是利润。对于磨抛而言，也有不少技术难点还未完全，但是要比切略简单，无非是慢一点.

　　在相当长时间内，高炉炼铁仍将是炼铁工艺的选择。高炉出铁沟是铁水和炉渣熔化后的必要通道!高炉出铁沟浇注料是保障高炉出铁沟出铁安全、稳定、运行的基础，延长高炉出铁沟浇注料的使用寿命可以有效降低炼铁成本和提高生产效率!因此，它是炼铁工艺中的基础和关键耐火材料之由于出铁沟频繁受到高温铁水和熔渣的机械冲蚀和侵蚀，所以出铁沟浇注料必须具有优良的抗热冲击性和抗渣性!耐高温!半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效！

　　在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增！由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限。此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率器件生产线!碳化硅外延主要解决外延晶片均匀性控制和外延缺陷控制两大问题！

　　防氧化剂法除了优先碳源氧化生成金属氧化物和碳化物阻止含碳材料的氧化外，还可以通过固相反应生成液相等物质堵塞材料内部气孔提升材料的致密度阻止氧气的进入来提高防氧化效果，优化碳源法则通过复合碳源以及在碳源的表面添加涂层达到一定的防氧化效果.详细阐述了3种方法的工艺特点以及目前存在的问题，并对其发展方向进行了展望，为开发新型三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术提供参考.高炉炼铁是钢铁工业普遍采用的炼铁工艺流程.

涂层碳化硅微粉应用领域

　　由于物理气象传输（PVT）制备碳化硅衬底的BPD密度较高，外延层中对器件有害的BPD多来自于衬底中的BPD向外延层的贯穿！因此，提高衬底结晶质量可有效降低外延层BPD位错密度！随着碳化硅器件的不断应用，器件尺寸及通流能力不断增加，对结晶缺陷密度的要求也不断增加，在未来技术的进步下，碳化硅外延片结晶缺陷密度会随之不断下降!综述了三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术的防氧化效果以及对材料性能、组成和结构的影响，根据含碳耐火材料的氧化损毁机理，主要分析了防氧化剂的两种作用形式即优先碳源氧化法和优化碳源法!

　　同时碳化硅衬底材料能量损失更小.在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间.因此碳化硅器件的能量损失更小!当前外延主要以4英寸及6英寸为主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年递增.碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅衬底尺寸，当前6英寸碳化硅衬底已经实现商用，因此碳化硅衬底外延也逐渐从4英寸向6英寸过渡! 2008年下半年开始的全球金融危机对我国集成电路出口造成了很大影响。从上图可以清楚地看到，从2008年11月开始，我国集成电路出口额首次出现同比负增长。截止3月底，我国集成电路的出口额已经连续5个月同比出现负增长。其中，1月份的同比降幅最大，达37.6%；2月和3月的同比降幅有所趋缓，分别为12.3%和13.9%。从上图可以看出，1月、2月和3月集成电路的出口金额呈逐月上升趋势，但由于全球金融危机余波还未消散，对我国集成电路出口的深远影响还有待观察。