==================================超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一!日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统!

　　电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)电子束直写系统、电子束曝光系统CABL-9000Cseries30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一.日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。

高拼接套刻精度电子束光刻曝光机

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　　描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1!采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪2！出色的电子束偏转控制技术3。采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（addresssize)可达0!0012nm4!采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0!01mrad5！应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix&Match），图形线宽和图形位移测量等!

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　　包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸如有任何需求和相关问题，敬请电话或邮件垂询！技术参数：1。小线宽：小于10nm（可实现8nm)2!加速电压：5-50kV3。电子束直径：小于2nm4.套刻精度：20nm(mean2σ)5。拼接精度：20nm(mean2σ)6!加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)7！

　　型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB！其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm，小束斑直径2nm，套刻精度20nm(mean2σ)，拼接精度20nm(mean2σ)！欣源科技SYNERCE代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统，又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-BeamLithography等!

　　 欣源科技（北京）有限公司欣源科技（北京），我们巍峨耸立于北京市海淀区信息路甲28号D座06A-6331，我们在这里等待您的到来。 也可以通过电话联系： 联系方式:13701223713 联系人:少鹏 致电我们，有意向不到的惊喜! 因其大批量规模化生产，产量高、节奏快、构造精密、生产的机械化自动化程度在制造业中属较高水平。汽车制造行业需经电弧螺柱焊机加工的钢材占用钢总量的70%以上，因而电弧螺柱焊机设备用量大，要求高，需要多功能、高效率、高可靠性的产品，手工电弧焊机用量较少，更多地需要电阻焊机、特种焊机、专用及成套电弧螺柱焊机设备，如逆变式悬挂点焊机、凸焊机、缝焊机以及电子束焊机、激光焊机和由成套电弧螺柱焊机设备、电弧螺柱焊机机器人等组成的柔性电弧螺柱焊机生产线，都是汽车生产必须的电弧螺柱焊机设备。