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　　描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1!采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪2.出色的电子束偏转控制技术3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（addresssize)可达0。0012nm4!采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix&Match），图形线宽和图形位移测量等！

　　型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB!其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm，小束斑直径2nm，套刻精度20nm(mean2σ)，拼接精度20nm(mean2σ)！欣源科技SYNERCE代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统，又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-BeamLithography等!

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