描电镜分辨率:小于2nm主要特点:1!采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪2!出色的电子束偏转控制技术3!采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(addresssize)可达0!0012nm4!采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达0.01mrad5.应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs兼容工艺,研究用掩膜制造,纳米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中的混合光刻(Mix&Match),图形线宽和图形位移测量等!
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB!其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm,小束斑直径2nm,套刻精度20nm(mean2σ),拼接精度20nm(mean2σ).欣源科技SYNERCE代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统,又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-BeamLithography等.
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电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)电子束直写系统、电子束曝光系统CABL-9000Cseries30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统.
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包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸如有任何需求和相关问题,敬请电话或邮件垂询。技术参数:1!小线宽:小于10nm(可实现8nm)2.加速电压:5-50kV3。电子束直径:小于2nm4!套刻精度:20nm(mean2σ)5!拼接精度:20nm(mean2σ)6.加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option)7.
==================================超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一!日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。
微波预热热空气硫化法 微波预热热空气硫化法是压出制品首先采用微波预热,然后让其进入热空气管道中进行硫化。微波一般是指频率在300至30000MHz之间的电磁波,只需要30到40s就能够使胶料的温度从90℃上升至190℃。微波预热热空气硫化法能够用于厚制品的硫化。高频微波硫化法也能够用于厚制品的硫化。具有占地少、频率高和制品清洁等优点,适用于各种尺寸与断面构型复杂的制品。可以用于胶管、胶带以及电线等的连续硫化。 电子束辐照连续硫化 是通过电子束装置发射的高速电子束辐照橡胶半成品,使胶料离子化、活化,并产生交联反应。 优点:可在常温下快速连续地进行硫化;交联程度可通过调整电子束的能量来实现,且操作简便。 电子束辐照硫化可用于多种制品,如轮胎、胶管、电线和防水卷材等。还可采用电子束辐照对胶料进行轻度预硫化,从而保证其成型挺性。